Advanced Electronic Materials Serviço de design de capa de jornal (sistemas computacionais inspirados no cérebro)

Advanced Electronic Materials
07 September 2020
Ativação silenciosa de sinapse por vagas de oxigênio induzidas por plasma em memristor baseado em nanofio de TiO2
Xuanyu Shan, Zhongqiang Wang,Ya Lin, Tao Zeng, Xiaoning Zhao, Haiyang Xu,and Yichun Liu
Centro de Pesquisa de Materiais Funcionais Optoeletrônicos Avançados e Laboratório Chave para Materiais e Tecnologia Emissores de Luz UV (Universidade Normal do Nordeste), Ministério da Educação, 5268 Renmin Street, Changchun, 130024 China
10.1002/aelm.202000536
No número do artigo 2000536 por Zhongqiang Wang, Haiyang Xu, Yichun Liu e colegas de trabalho, a ativação da sinapse silenciosa para a sinapse funcional é demonstrada pelo tratamento com plasma em memristor baseado em nanofios de TiO2. O dispositivo puro atua como uma sinapse silenciosa sem plasticidade sináptica e o dispositivo tratado com plasma imitou a sinapse funcional, o que é benéfico para expandir a plasticidade da sinapse artificial.

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