Nanoscale
31 Aug 2016
Implementação de Aprendizagem Não Associativa por um Dispositivo Sináptico Multiterminal Baseado em um Único Memristor
Xue Yang,a Yichen Fang,a Zhizhen Yu,a Zongwei Wang,a Teng Zhang,a Minhui Yin,a Min Lin,a Yuchao Yang,ab Yimao Cai*ab and Ru Huangab
a Instituto de Microeletrônica, Universidade de Pequim, Pequim, China
b Centro de Inovação em Microeletrônica e Sistema Integrado, Universidade de Pequim, Pequim, China
10.1039/C6NR04142F
Neste trabalho, propõe-se um dispositivo de três terminais constituído por um memristor baseado em óxido e um transistor NMOS (N-type Metal-Oxide-Semiconductor). O memristor, com ajuste gradual de condutância, funciona intrinsecamente como a sinapse entre neurônios sensoriais e motores, apresentando plasticidade sináptica ajustável, enquanto o transistor NMOS associado ao memristor é utilizado para simular o efeito modulador do neuromodulador liberado por interneurônios. Esse dispositivo multiterminal baseado em memristor possibilita a implementação prática de aprendizagem não associativa significativa com base em um único componente eletrônico. Neste estudo, o comportamento de modificação induzido por experiência – tanto habituação quanto sensibilização – foi alcançado com sucesso. A dependência da resposta comportamental não associativa em relação à intensidade e ao intervalo dos estímulos apresentados também é discutida.
Nosso horário
Seg, 21/11 - Quarta, 23/11: 9h - 20h
Qui, 24/11: fechado - Feliz Dia de Ação de Graças!
Sexta-feira, 25/11: 8h - 22h
Sábado, 26/11 - Dom, 27/11: 10h - 21h
(todos os horários são horário do leste)